دیتاشیت BSO615N G
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | BSO615N G |
|---|---|
| حجم فایل | 75.585 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 8 |
دانلود دیتاشیت BSO615N G |
BSO615N G Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: 2 N-Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies BSO615N G
- Power Dissipation (Pd): 2W
- Drain Source Voltage (Vdss): 60V
- Continuous Drain Current (Id): 2.6A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@20uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 150mΩ@4.5V,2.6A
- Package: SOIC-8
- Manufacturer: Infineon Technologies
